zika Napisano Mart 25, 2013 #89 Napisano Mart 25, 2013 Ko je rekao da ima gresaka? Šta je, onda, smešno i vredno poređenja?
Mikorist Napisano Mart 25, 2013 #90 Napisano Mart 25, 2013 'bo te B1 s'a si se navr'zo ........ neizdrž........
Gosha Napisano Mart 25, 2013 #91 Napisano Mart 25, 2013 Šta je, onda, smešno i vredno poređenja?Izvini sto sam ga poredio sa Zikom Obretkovicem. Samo me nacin izlaganja podsetio na njega.
zika Napisano Mart 25, 2013 #92 Napisano Mart 25, 2013 Izvini sto sam ga poredio sa Zikom Obretkovicem. Samo me nacin izlaganja podsetio na njega. Nema potrebe da se meni izvinjavate...
Mikorist Napisano Mart 25, 2013 #94 Napisano Mart 25, 2013 a SIT je zapravo OVO: This drain-current to drain-voltage characteristic simulates the anode-current to anode-voltage characteristic of the triode vacuum tube very closely. patent Inventors: Jun-ichi Nishizawa, Takeshi Terasaki videti - Field effect semiconductor device having an unsaturated triode vacuum tube characteristics: http://www.google.com/patents/USRE29971
Mikorist Napisano Mart 25, 2013 #95 Napisano Mart 25, 2013 momci iz SS su to inace radili i pre - za vojsku (radarska tehnologija ) i to visetruko snazniji Jfet , nije mi poznato u kom kucistu , ali je sigurno bila neka cigla fabrication has been already realized in the form of a high-power transistor (2 kW, 8 MHz) cigla od 2 kW
Zen Mod Napisano Mart 25, 2013 #96 Napisano Mart 25, 2013 ako znades ruski , mozda ih pronadjes i na toj strani ovaj - ne mozda , nego sigurno
Mikorist Napisano Mart 25, 2013 #97 Napisano Mart 25, 2013 Compared to other semiconductor materials, including silicon (Si) and gallium arsenide (GaAs), siliconcarbide (SiC)is relatively immune to external factors, including radiation and electromagnetic-pulse (EMP) effects. dakle lampe i SIT-ovi izdrzavaju samo nuklearni napad, zato ih i koriste za radare
Mikorist Napisano Mart 25, 2013 #99 Napisano Mart 25, 2013 niko ovde mene ne s`vata odzbiljooooo 'bala te babuskicaaa
gaggia Napisano Mart 25, 2013 #100 Napisano Mart 25, 2013 maaaaa nijeee bre miksone! ja tebe ljublju! retko ko sa takvom pasijom ulazi u svet lampi - kao ti npr
ManicP Napisano Mart 25, 2013 #102 Napisano Mart 25, 2013 trioda,trioda,trioda.... I ti si gledo ovo...
Mikorist Napisano Mart 25, 2013 #103 Napisano Mart 25, 2013 trioda,trioda,trioda.... SIT simulates the characteristic of the triode vacuum tube very closely. sad koliko je to simuliranje priblizno cevima nije napisano precizno ali je napisano veoma blizu. u svakom slucaju SIT ima dušu.
Daudio Napisano Mart 25, 2013 #104 Napisano Mart 25, 2013 Е мојне Мико по бабушци, немој те отмемо и са повезом преко очију поставимо испред бабушке и ВЈ2, па чик да видим да ли ћеш погодити шта је шта. А осим тога Гагици тек што је прошла главобоља ,немој да се опет разболи.
Mikorist Napisano Mart 25, 2013 #105 Napisano Mart 25, 2013 Silicon Carbide Static Induction Transistors The static induction transistor (SIT) is a three terminal, vertical current flow, semiconductor device that most closely resembles the solid state version of the triode vacuum tube. [1][2][3][4] The SIT is also a voltage controlled, majority carrier device, and so it is one version of a field effect transistor (FET), where the voltage on the gate modulates the current flow between the drain and source regions. However, it has a few distinct differences. Most FETs are planar devices and have only a single gate to control current flow in the channel (where all terminals are in the same plane, and current flows horizontally parallel to this plane). However, the SIT is a vertical device, with two gate contacts on opposing sides of its channel. Thus, while planar FETs only exhibit current-voltage (I-V) characteristics similar to pentode vacuum tubes with saturating current levels, the vertical current flow and extra gate control of the SIT allows for an additional I-V regime which exhibits non-saturating current characteristics similar to triode vacuum tubes. [5][6][7][8] That is, under high drain bias conditions (V DS = 10's to 1000's V), the SIT exhibits current-voltage characteristics similar to vacuum tube triodes. Therefore, the SIT does not behave exactly as other FET devices, and so it should not be considered as just a "vertical FET". http://www.globalspec.com/reference/50916/203279/silicon-carbide-static-induction-transistors SIT po vertikali simulira triodu lampu a po horizontali pentodu lampu a nije ni samo klasican fet, nego V-fet (ne klasican).... sve u svemu sve je to zajedno i iznad toga.... ma bre, ludilo mozga.
grau. Napisano Mart 25, 2013 #106 Napisano Mart 25, 2013 Е мојне Мико по бабушци, немој те отмемо и са повезом преко очију поставимо испред бабушке и ВЈ2, па чик да видим да ли ћеш погодити шта је шта. А осим тога Гагици тек што је прошла главобоља ,немој да се опет разболи. ju, pu pu, nije se valjda babusci slosilo toliko....
gaggia Napisano Mart 25, 2013 #107 Napisano Mart 25, 2013 Е мојне Мико по бабушци, немој те отмемо и са повезом преко очију поставимо испред бабушке и ВЈ2, па чик да видим да ли ћеш погодити шта је шта. А осим тога Гагици тек што је прошла главобоља ,немој да се опет разболи. ima da se razbolim ako ovo ne uradimo
ZZZ Napisano Mart 27, 2013 #108 Napisano Mart 27, 2013 na osnovu cega i do kakvih zakljucaka bi trebalo da dodje?
gaggia Napisano Mart 27, 2013 #109 Napisano Mart 27, 2013 na osnovu suza i firnajza - merna jedinica mL/popesmi
ZZZ Napisano Mart 27, 2013 #110 Napisano Mart 27, 2013 znaci karasevdah konobar molim jedan vinjak i malu kiselu
Preporučeni Komentari
Kreiraj nalog ili se prijavi da daš komentar
Potrebno je da budeš član DiyAudio.rs-a da bi ostavio komentar
Kreiraj nalog
Prijavite se za novi nalog na DiyAudio.rs zajednici. Jednostavno je!
Registruj novi nalogPrijavi se
Već imaš nalog? Prijavi se ovde
Prijavi se odmah