Mislio si na iskoristiv naponski swing a ne na faktor korisnog dejstva, jel tako? ;)Na zalost, ni to nije tacno jer iskoristiv swing zavisi ne od Vbe vec od unutrasnje otpornosti tranzistora u saturaciji a on je kod Ge tranzistora veci nego kod silicijumskih, dakle swing je kod Ge manji.Sad mi pade na pamet jedna prednost vezana za parametar koji si pomenuo (nizi napon PN spoja kod Ge). Kod distortion efekata za gitaru (fuzz) Ge diode kao elementi za nasilni kliping signala daju, po recima vecine gitarista, mnogo privlacniji zvuk el gitare nego u izvedbi sa Si diodama...